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        化学机器平面化(CMP)是用于制造半导体产业晶圆的抛光工艺。因为运输/处置惩罚题目,枯燥和浆料分派体系内的相互作用,东西中的浆料被运送到晶圆外面能够含有大颗粒/附聚物(>1μ)。这些大颗粒能够正在半导体晶片表面上构成缺点(划痕)。

        低落由颗粒引发缺点的解决方案之一是运用浆液过滤。现在有两种浆料过滤的优选要领:1)轮回或再循环过滤和2)运用(POU)过滤。轮回或再循环过滤试图从浆液中撤除大颗粒,由于浆液经由过程将浆液运送到东西的分派回路轮回。关于这些运用,一般运用0.5至5微米的过滤器,发起1至3 GPM的流量。

        POU过滤正在浆料分派到抛光垫上的点处或四周捕捉大的颗粒。POU运用的流速不应凌驾0.5至2.5 GPM。因为可以或许正在低流速下运用亚微米过滤器,因而POU过滤优于环路过滤,那每每会削减过早梗塞过滤器的发作并许可<1.0μm颗粒的潜伏过滤。POU浆料过滤已被证实有利于削减CMP工艺中的晶圆缺点并提高产量。

        传统上,POU过滤和轮回过滤皆运用了非折叠滤芯。这些圆柱形深层滤芯可能会正在效力,污物容量(使用寿命),流速和压降方面泛起局限性。相反,单层褶皱过滤器供应更好的机能,然则滤芯使用寿命对照短。

        XZC发起将XL 系列过滤器作为CMP浆液过滤的最好挑选。这些混合式打褶/深层过滤器联合了深层过滤器的最好特性(可以或许去除因为分级孔隙构造,稳固的介质设置而发生的一系列粒径)和褶式过滤器的长处(下表面积可改进流速,低落压降和更长的在线工夫) 

CMP浆液过滤的目标:

浆料应含有可控颗粒尺寸范围内的磨料组分,以得到用于光刻的异常腻滑和一般的晶圆外面
去除微粒和附聚物,同时留下磨料组分
客户目的:削减划痕,进步产量
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